第110章 高主任面前，怎麼我們都是問題？（3k）

 高振東不置可否，又問道：“碳顆粒粒徑多大？”

 “0.xx毫米，高密度。”

 高振東道：“你們是考慮到小粒徑高密度碳原料能增加緻密度，提高強度？”

 段工點點頭：“高主任說得對，就是這麼考慮的。”

 又問了幾個問題，高振東在腦袋裡把自己看過的論文組織了一下，笑道：“段工，我有幾個建議，你可以適當考慮。”

 段工大喜，居然還有好幾個建議，沒白來啊這趟：“高主任，您說您說”。

 “你們用的滲硅方法，的確不是最合適這種情況的方法，你們採用這種方法，硅化石墨碳化硅層有大量孔隙存在，siC顆粒堆積疏鬆，強度自然不是特別好。”

 “同時，你們這個辦法，液態硅中的碳化硅濃度達到飽和後，會快速長大，最終在石墨基體表面形成一層較厚的碳化硅層。”

 為什麼高振東這麼篤定？因為他前世論文裡看到過這種方法產品的sem（掃描電子顯微鏡）和xrd（x射線衍射）結果，這兩種技術，都是能觀察樣品微觀組織的，毫無疑問現在的碳研院，沒有這個條件。

 聽見高振東找到了問題，段工先是一喜，然後又是一憂，光找出問題，沒有辦法也不夠啊：“高主任，那用什麼方法好？”

 高振東道：“我的建議，是用液相滲硅的辦法，這個辦法在我看來，和你們現在使用的方法一樣，具有操作簡單、設備成本低、適合大批量生產等優點，與其他方法相比，這個辦法也能較大程度保留石墨基體，有利於維持石墨的自潤滑性和導熱性能。”

 “但是它相比你們現在使用的方法，最大的區別是它的硅化石墨的碳化硅主要存在於石墨空隙中，而不是像你們使用的方法一樣在硅化石墨表面有一層較厚的碳化硅層，這層較厚的碳化硅層，應該就是熱裂情況嚴重的元兇。”

 這句話，高振東也是有依據的，

國產srm材料的公開論文中，就提到過仿製C-17δ過程中，解決的最大問題就是滲硅層過厚而產生的熱裂問題，只是沒有說用的什麼手段。

 在高振東看來，殊途同歸，自己提的這個方案，應該也是能解決這個問題的。

 段工一聽大喜，行家一出手，就知有沒有，這幾句話句句打在要害上，一聽真有新的工藝方法，連忙追問：“高主任，那你說的這個液相滲硅法，具體是怎麼弄？”

 高振東一點不藏私：“碳化硅和硅配比3:2作為硅源原料，反應溫度1600c，真空環境下反應0.5h，你看，是不是很簡單？”

 此話一出，段工差點沒一筆桿子扔過去，對對對，你說得都對，是很簡單。

 不過想想，這個辦法真的是很簡單啊，甚至都想不出有什麼能比這個更簡單的了，如果能有效，那可就太好了，成本是真的低。

 高振東沒有給段工扔筆桿子的機會，繼續說道：“這樣，順便能解決你們的第二個問題，氧化鋁的使用問題。”

 “氧化鋁？”

 “沒錯，氧化鋁雖然理論上能細化 siC晶粒，使碳化硅層更加緻密，但實際上，氧化鋁過量時反應會產生大量氣體，這些氣體逸出的時候，會破壞碳化硅層的緻密性，對硅化石墨的性能產生不利影響，這也會降低你們成品的性能。”